Metallikohde Sputteroinnin perusteet
Tavoitteena on yksinkertaisesti elektronien käyttö tai korkeaenerginen laserpommitus pinnoitteiden ruiskutukseen. Lopuksi pintakomponentit kerrostetaan substraatin pinnalle sen jälkeen, kun ne on sputteroitu atomiryhminä tai ioneina, käyvät läpi kalvonmuodostusprosessin ja tuottavat ohuen kalvon.
Sputterointipinnoitteita on monenlaisia. Ne ovat tyypillisesti haihdutuspinnoite. Sputterointinopeus on yksi avainparametreista, mikä on ero. Sputterointipinnoitteen lasersputterointipinnoite pld on helppo pitää koostumuksen yhtenäisenä, mutta paksuuden tasaisuus atomimittakaavassa on suhteellisen huono (koska se on pulssisputterointia) ja kiteen suuntauksen (ulkoreunan) kasvun hallinta on suhteellisen yleistä.
Substraatin ja kohdemateriaalin hilan yhteensopivuusaste, pinnoiteympäristö (matalapainekaasuilmakehä), substraatin lämpötila, laserteho, pulssitaajuus ja sputterointiaika ovat tärkeitä parametreja pld:ssä, esimerkiksi. . Ihanteelliset parametrit tarvitaan erilaisille alustoille ja sputterointimateriaaleille. Kokeiden mukaan ne ovat erilaisia. Päällystyslaitteiston kyky hallita tarkasti lämpötilaa, varmistaa hyvä alipaine ja ylläpitää tyhjiökammiota puhtaana ovat kolme keskeistä tekijää, jotka määräävät sen laadun.
