1. Leikkaa vaaditun puhtauden vanadiiniharkko tavoitekoon mukaan vaakasahakoneella, esilämmitä 450-500 astetta, tako sitten ja säädä takomisen kokonaismuodonmuutosnopeus 70-80 %;
2. Hehkuta taottu vanadiiniharkko 400-500 asteen lämpötilassa ja pitoajassa 60-120min ja jäähdytä se sitten ilmajäähdytyksellä;
3. Rullaa hehkutettu vanadiiniharkko ja säädä jokaisen kierron puristusmäärä arvoon 0.5-1mm ja säädä kokonaismuodonmuutos arvoon 70-80%, kunnes vanadiinikohdeaihio vaadittu halkaisija ja paksuus saadaan;
4.Hehkuta valssattu vanadiinikohdeaihio uudelleen 450-550 asteen lämpötilassa ja pitoajassa 90-150min. Uudelleen hehkutuksen jälkeen se jäähdytetään vedellä saadaksesi vaaditun erittäin puhtaan vanadiinikohdeaihion.
Tällä tavalla valmistetulla vanadiinikohdeaihiolla ei ole ainoastaan yhtenäinen sisäinen rakenne, vaan sen etuna on myös hienojakoisuus.
Kohdemateriaalin on oltava erittäin puhdasta, vähemmän epäpuhtauksia, tasainen kemiallinen koostumus, ei erottelua, ei huokosia, yhtenäinen raerakenne ja raekoko mikrometristä millimetriin. Raekokoeron yksittäisessä sputterointikohteessa on oltava mahdollisimman pieni. Tällä tavalla ei ole helppoa tuottaa purkausilmiötä magnetronisputteroinnissa, ja magnetronisputterointikalvo on tasainen.
Vanadiinikohteen käyttö
Käytetään aurinkoenergian, litteiden näyttöjen, elektroniikan ja puolijohteiden, kuten integroitujen piirien, taustalevyn metalloinnissa, optoelektroniikassa ja muissa sovelluksissa.
