Tantaalikarbidihiukkaset

Tiheys on 14,3 g/cm3. Ei liukene veteen, ei liukene epäorgaaniseen happoon, liukenee fluorivetyhapon ja typpihapon sekahappoon ja hajoaa. Voimakas antioksidanttikyky, helposti sulava ja hajotettava kaliumpyrosulfaatin vaikutuksesta. Korkea johtavuus, resistanssi 30Ω huoneenlämpötilassa, osoittaa suprajohtavuutta. Käytetään jauhemetallurgiassa, leikkaustyökaluissa, hienokeramiikassa, kemiallisessa höyrypinnoituksessa, sementoiduissa kulutusta kestävistä metalliseostyökaluista, työkaluista, muoteista, kulutusta ja korroosiota kestävistä rakenneosien lisäaineista, jotka parantavat seosten sitkeyttä. Tantaalikarbidin sintrattu runko on kullankeltainen ja sitä voidaan käyttää kellon koristeena.

Tantaalikarbidihiukkasten etuna on korkea lujuus, korkea kovuus ja hyvä kostutus matriisin kanssa, minkä vuoksi niitä käytetään laajalti ilmailu-, metallurgiassa, rakennusmateriaaleissa, sähkövoimassa, vesivoimassa, kaivosteollisuudessa ja muilla aloilla toisen vaiheen hiukkasvahvisteisena metallina. matriisikomposiitteja, ja ovat saavuttaneet hyviä käytännön tuloksia. Raportoituja karbidihiukkasia ovat pääasiassa volframikarbidi (WC), titaanikarbidi (TiC), niobiumkarbidi (NbC) ja vanadiinikarbidi (VCp), kun taas tantaalia, samaan vanadiinimetallien ja niobiumin perheeseen kuuluvaa alkuainetta, on tutkittu vähemmän.

Tantaalikarbidihiukkasten (TaC) etuna on korkea sulamispiste (3880 astetta), korkea kovuus (2100HV0,05), hyvä kemiallinen stabiilisuus, vahva sähkö- ja lämmönjohtavuus jne., mutta niiden kustannuksista ja Muissa kysymyksissä raportit rajoittuvat nikkelipohjaisiin, alumiinipohjaisiin ja muihin substraatteihin. Chao et ai. käytti laserpinnoitustekniikkaa nikkelipohjaisten lujitettujen tantaalikarbidipintakomposiittien valmistukseen, ja tulokset osoittivat, että tämän materiaalin kovuus oli merkittävästi korkeampi kuin puhtaan nikkelin ja kulumisnopeus oli huomattavasti pienempi kuin karkaistun teräksen. Yu et ai. tutki nikkelipohjaisen, kromipohjaisen ja alumiinipohjaisen vahvistetun tantaalikarbidin suuntautuvan jähmettymisen suhdetta in situ ja sen mikrorakenteen välillä korkeissa lämpötilagradienteissa, ja tulokset osoittivat, että jähmettymisnopeuden kasvaessa kiinteän faasin rakenne muuttui, ja myös tantaalikarbidin tilavuusosuus muuttui jähmettymisnopeuden muutoksen myötä. Wang Wenli et ai. käytti laserpinnoitustekniikkaa valmistaakseen in situ TaC-hiukkasvahvistetun nikkelipohjaisen komposiittipinnoitteen A3-teräksen pinnalle, ja tulokset osoittivat, että sopivissa prosessiolosuhteissa TaC-hiukkasvahvistettu nikkelipohjainen komposiittipinnoite oli hyvin muodostunut, pinta oli sileä ja pinnoite ja matriisi osoittivat hyvää metallurgista sitoutumista. Teräspohjien in situ -sukupolvien tutkimusta on kuitenkin raportoitu harvoin. Siksi tässä kokeessa käytettiin pintakeraamihiukkasilla tehostetun rautapohjaisen komposiitin menetelmää. Samanaikaisesti TaC-hiukkaset valittiin toisen vaiheen hiukkasvahvistusvaiheeksi. In situ -vahvistettujen rautamatriisikomposiittien TaC-hiukkasten mikromorfologia ja reaktioprosessi analysoitiin.

Suositut Tagit: tantaalikarbidihiukkaset, toimittajat, valmistajat, tehdas, räätälöity, osta, hinta, tarjous, laatu, myytävänä, varastossa